【代轉】10/26(三)2022功率半導體材料（氮化鎵＆碳化矽）應用元件國際論壇

  • 國立臺北大學 電機工程學系
  • 十月 6, 2022

近年來，化合物半導體-碳化矽(SiC)和氮化鎵(GaN)因著終端產品應用需求看漲之勢，有著爆炸性的發展，相當具有發展前景，此關鍵材料可應用於電動載具、5G/6G通訊、快充等，世界各國都視其為國家戰略發展的原料及技術。具寬能隙(Wide Band Gap; WBG)特性之功率半導體材料及元件技術，已然成為功率電子產品及應用重要平台。高功率元件應用研發聯盟於2015年由國家中山科學研究院及台灣經濟研究院攜手成立，執行半導體產業科技研發專案，進行功率半導體材料技術開發與產業推廣，期為產業注入一股新動能。

今年度，高功率元件應用研發聯盟協同國家中山科學研究院及台灣經濟研究院邀請國際與國內功率半導體專家蒞臨分享，與國內產學研各界分享及交流，同時舉辦學生論文海報競賽，達到人才培育之效。希冀藉由此次論壇促進產學研各界交流，激盪功率半導體材料及高功率模組應用領域研究發展，加速國內功率電子及應用相關產業研發布局。在此，誠摯邀請您撥冗參加此盛會，藉此機會與國內外相關產業先進經驗交流，期能促成上中下游研發合作結盟，紮根台灣，跨足國際！

  • 論壇時間 / Symposium Date：

 2022年10月26日(三) 10:00-16:25（09:30-10:00報到） /

 October 26th , 2022, Wed., 10:00-16:25 ( 09:30-10:00 for registration )

  • 論壇地點 / Symposium Venue：

 臺大醫院國際會議中心 401會議室（台北市中正區徐州路2號） /

 Room 401, NTUH International Convention Center ( No. 2, Xuzhou Road, Zhongzheng District, Taipei City )